20V-250V Trench-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
2021-05-31
Trench-MOSFET und Hauptmerkmale •Design mit hoher Zelldichte •Ideal für miniaturisierte Gehäuse •Integrierter GS-ESD-Schutz •Spannungsbereich: 12V-200V SGT MOSFET & Hauptmerkmale • Fortschrittliche Shield-Gate-Trench-Technologie •Ultra niedrige Gate-...